21春学期《现代电力电子及变流技术》在线平时作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.可关断晶闸管三个电极分别为( )。
A.发射极，基极，集电极；
B.第一基极，发射极，第二基极；
C.源极，栅极，漏极；
D.阴极，门极，阳极。
2.晶闸管三个电极分别为( )。
A.发射极，基极，集电极；
B.第一基极，发射极，第二基极；
C.源极，栅极，漏极；
D.阴极，门极，阳极。
3.单相全波可控整流电路一共有（ ）只晶闸管。
A.1
B.2
C.3
D.4
4.场效应管三个电极分别为( )。
A.发射极，基极，集电极；
B.第一基极，发射极，第二基极；
C.源极，栅极，漏极；
D.阴极，门极，阳极。
5.三相桥式全控整流电路，大电感负载，变压器副侧绕组的电流有效值I2是（ ）。
A.{图}
B.{图}
C.{图}
D.{图}
6.绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。
A.发射极，基极，集电极；
B.发射极，栅极，集电极；
C.源极，栅极，漏极；
D.阴极，门极，阳极。
7.晶闸管的额定电流是以（ ）的形式定义的。
A.电流峰值
B.电流有效值
C.电流平均值
D.电流瞬时值
8.单相全波可控整流电路，大电感负载，晶闸管的电流平均值是（ ）。
A.{图}
B.{图}
C.{图}
D.{图}
9.（ ）是双极型全控电力电子器件。
A.P-MOSFET
B.TRIAC
C.GTR
D.GTO
10.（ ）是电压控制型电力电子器件。
A.P-MOSFET、MCT
B.TRIAC、GTR
C.GTO、IGBT
D.Power Diode、SITH
二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)
11.三相共阳极整流电路，整流管总在三相相电压波形负半周的自然换相点换流。
12.电流型交-直-交变频器通常采用120°导电型。
13.晶闸管的导通条件是阳极电位高于阴极电位。
14.三相桥式全控整流电路，电阻性负载，最大移相范围是150°。
15.触发电路中加偏移电压up的目的是为了确定控制电压{图}时脉冲的初始相位。
16.根据控制开关对输入直流电压调制方式的不同，直流斩波电路有三种不同的斩波形式：（1）脉冲宽度调制方式（2）脉冲频率调制方式（3）混合调制方式。
17.P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。
18.带续流二极管的晶闸管电路，可以组成反并联可逆电路。
19.带续流二极管的晶闸管电路，不能组成反并联可逆电路。
20.把逆变电路的输出接到交流电源上，把经过逆变得到的与交流电源同频率的交流电能反送回电源，称为有源逆变。
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